[科技论文网] http://www.scipapers.com    2007-11-13  

上块的操作。对Flash擦除和写数据是很慢的。如果用写BUFFER的命令会快一点。据手册上说，会快20倍。Buffer Size ：5 bytes的buffer缓冲不是每个块都有，是整个flash只有一个5 bytes的buffer，用写BUFFER命令对所有的块进行写操作，都要用同一个buffer,写Buffer是主要检查buffer是否available，其实buffer起缓冲作用，来提高工作效率。

比如某flash有128个128K字节块。允许用户对任意块进行字节编程和写缓冲器字节编程操作，每字节编程时间为210μs；若采用写缓冲器字节编程方式，32字节编程共需218μs，每字节编程时间仅为6.8μs。芯片的块擦除时间为1s，允许在编程或块擦除操作的同时进行悬挂中断去进行读操作，待读操作完成后，写入悬挂恢复命令，再继续编程或块擦除。

 

Creating 3 MTD partitions on "XX mapped flash": 0x00000000-0x00020000 : "BootLoader" 0x00020000-0x00040000 : "Config" 0x00040000-0x01000000 : "Romfs"

此处为重要信息部分，需要特别留意。

在内存中映射过的flash,创建三个MTD分区：

flash上的内容将被映射到内存中的对应地址

前128K为BootLoader--->0x00000000-0x00020000

接着的128K为系统配置信息Config存放的位置    来源：

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