DRAM器件是不稳定的。为了将数据保存在存储器中,DRAM器件必须有规律地进行刷新。 ②SRAM是静态的,因此只要供电它就会保持一个值。一般而言,SRAM 比DRAM要快,这是因为SRAM没有刷新周期。每个SRAM存储单元由6个晶体管组成,而DRAM存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。相比而言,DRAM比SRAM每个存储单元的成本要高。照此推理,可以断定在给定的固定区域内DRAM的密度比SRAM 的密度要大。
SRAM常常用于高速缓冲存储器,因为它有更高的速率;而DRAM常常用于PC中的主存储器,因为其拥有更高的密度。 在嵌入式系统中使用DRAM内存的设计比较广泛。
地址辅助说明: 先说明一下内存地址数字情况,主要是为了方便记忆。 可以访问的内存为4G。 0x40000000是1GB处;0x00040000是256K处,0x00020000是128K处,0x90000000是2GB多的地方。 1M->0x00100000, 2M->0x00200000, 8M->0x00800000 16M->0x01000000, 32M->0x02000000 256M->0x10000000
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